- Si డ్రైవర్ మరియు GaN పవర్ ట్రాన్సిస్టర్‌లను ఒకే ప్యాకేజీలో అనుసంధానించడానికి ప్రపంచంలోని మొదటి పరిష్కారం
- సాధారణ సిలికాన్ ఆధారిత పరిష్కారాలతో పోలిస్తే 3 రెట్లు వేగంగా ఛార్జింగ్ చేస్తున్నప్పుడు ఛార్జర్లు మరియు ఎడాప్టర్లను 80% చిన్న మరియు 70% తేలికైనదిగా ప్రారంభిస్తుంది.
STMicroelectronics ఒక జత గాలియం-నైట్రైడ్ (GaN) ట్రాన్సిస్టర్‌లతో పాటు సిలికాన్ టెక్నాలజీ ఆధారంగా సగం వంతెన డ్రైవర్‌ను పొందుపరిచే ప్లాట్‌ఫామ్‌ను ప్రవేశపెట్టింది. ఈ కలయిక 400W వరకు వినియోగదారు మరియు పారిశ్రామిక అనువర్తనాల కోసం తరువాతి తరం కాంపాక్ట్ మరియు సమర్థవంతమైన ఛార్జర్లు మరియు పవర్ ఎడాప్టర్ల సృష్టిని వేగవంతం చేస్తుంది.
GaN టెక్నాలజీ ఈ పరికరాలను చిన్నదిగా, మరింత తేలికగా మరియు శక్తి-సమర్థవంతంగా మారినప్పటికీ ఎక్కువ శక్తిని నిర్వహించడానికి వీలు కల్పిస్తుంది. ఇది సాధారణ సిలికాన్ ఆధారిత పరిష్కారాలతో పోలిస్తే 3 రెట్లు వేగంగా ఛార్జింగ్ చేసేటప్పుడు ఛార్జర్లు మరియు ఎడాప్టర్లను 80% చిన్నది మరియు 70% తేలికైనది. ఈ మెరుగుదలలు స్మార్ట్‌ఫోన్ అల్ట్రా-ఫాస్ట్ ఛార్జర్లు మరియు వైర్‌లెస్ ఛార్జర్లు, పిసిలు మరియు గేమింగ్ కోసం యుఎస్‌బి-పిడి కాంపాక్ట్ ఎడాప్టర్లు, అలాగే సౌర-శక్తి నిల్వ వ్యవస్థలు, నిరంతరాయ విద్యుత్ సరఫరా లేదా హై-ఎండ్ ఒఎల్‌ఇడి టివిలు మరియు పారిశ్రామిక అనువర్తనాల్లో తేడాను కలిగిస్తాయి. సర్వర్ క్లౌడ్.
నేటి GaN మార్కెట్ సాధారణంగా వివిక్త పవర్ ట్రాన్సిస్టర్లు మరియు డ్రైవర్ IC లచే అందించబడుతుంది, డిజైనర్లు ఉత్తమ పనితీరు కోసం వాటిని ఎలా కలిసి పని చేయాలో నేర్చుకోవాలి. ST యొక్క మాస్టర్‌గాన్ విధానం ఆ సవాలును దాటవేస్తుంది, దీని ఫలితంగా మార్కెట్‌కు వేగంగా సమయం లభిస్తుంది మరియు పనితీరుకు భరోసా ఉంటుంది, చిన్న పాదముద్ర, సరళీకృత అసెంబ్లీ మరియు తక్కువ భాగాలతో విశ్వసనీయత పెరుగుతుంది. GaN సాంకేతిక పరిజ్ఞానం మరియు ST యొక్క ఇంటిగ్రేటెడ్ ఉత్పత్తుల యొక్క ప్రయోజనాలతో, ఛార్జర్లు మరియు ఎడాప్టర్లు 80% పరిమాణాన్ని మరియు సాధారణ సిలికాన్ ఆధారిత పరిష్కారాల బరువులో 70% ను తగ్గించగలవు.
ఎస్టీ మాస్టర్‌గ్యాన్ 1 తో కొత్త ప్లాట్‌ఫామ్‌ను విడుదల చేస్తోంది, ఇందులో రెండు హై-సైడ్ మరియు లో-సైడ్ డ్రైవర్లతో సగం వంతెనగా అనుసంధానించబడిన రెండు గాన్ పవర్ ట్రాన్సిస్టర్లు ఉన్నాయి.
మాస్టర్‌గాన్ 1 ఇప్పుడు ఉత్పత్తిలో ఉంది, 9 మిమీ x 9 మిమీ జిక్యూఎఫ్ఎన్ ప్యాకేజీలో 1 మిమీ మాత్రమే. 1,000 యూనిట్ల ఆర్డర్‌ల కోసం $ 7 ధరతో, ఇది పంపిణీదారుల నుండి లభిస్తుంది. జంప్-స్టార్ట్ కస్టమర్ల విద్యుత్ ప్రాజెక్టులకు సహాయపడటానికి మూల్యాంకన బోర్డు కూడా అందుబాటులో ఉంది.
మరింత సాంకేతిక సమాచారం
మాస్టర్‌గాన్ ప్లాట్‌ఫాం STDRIVE 600V గేట్ డ్రైవర్లను మరియు GaN హై-ఎలక్ట్రాన్-మొబిలిటీ ట్రాన్సిస్టర్‌లను (HEMT) ప్రభావితం చేస్తుంది. 9mm x 9mm తక్కువ-ప్రొఫైల్ GQFN ప్యాకేజీ అధిక శక్తి సాంద్రతను నిర్ధారిస్తుంది మరియు అధిక-వోల్టేజ్ మరియు తక్కువ-వోల్టేజ్ ప్యాడ్‌ల మధ్య 2mm కంటే ఎక్కువ క్రీపేజ్ దూరంతో అధిక-వోల్టేజ్ అనువర్తనాల కోసం రూపొందించబడింది.
పరికరాల కుటుంబం వేర్వేరు GaN- ట్రాన్సిస్టర్ పరిమాణాలను (RDS (ON)) విస్తరించి ఉంటుంది మరియు పిన్-అనుకూలమైన సగం-వంతెన ఉత్పత్తులుగా అందించబడుతుంది, ఇది ఇంజనీర్లను తక్కువ హార్డ్‌వేర్ మార్పులతో విజయవంతమైన డిజైన్లను స్కేల్ చేయడానికి అనుమతిస్తుంది. GaN ట్రాన్సిస్టర్‌లను వర్గీకరించే తక్కువ టర్న్-ఆన్ నష్టాలు మరియు బాడీ-డయోడ్ రికవరీ లేకపోవడంతో, ఉత్పత్తులు ఫ్లైబ్యాక్ లేదా ఫార్వర్డ్ ఫార్వర్డ్ యాక్టివ్ క్లాంప్, రెసొనెంట్, బ్రిడ్జ్‌లెస్ టోటెమ్‌తో హై-ఎండ్, హై-ఎఫిషియెన్సీ టోపోలాజీలలో అత్యుత్తమ సామర్థ్యాన్ని మరియు మొత్తం పనితీరును మెరుగుపరుస్తాయి. -పోల్ పిఎఫ్‌సి (పవర్ ఫ్యాక్టర్ కరెక్టర్), మరియు ఎసి / డిసి మరియు డిసి / డిసి కన్వర్టర్లు మరియు డిసి / ఎసి ఇన్వర్టర్లలో ఉపయోగించే ఇతర మృదువైన మరియు హార్డ్-స్విచింగ్ టోపోలాజీలు.
మాస్టర్‌గ్యాన్ 1 సాధారణంగా సరిపోయే టైమింగ్ పారామితులు, 10A గరిష్ట ప్రస్తుత రేటింగ్ మరియు 150mΩ ఆన్-రెసిస్టెన్స్ (RDS (ON)) కలిగి ఉన్న రెండు సాధారణంగా-ఆఫ్ ట్రాన్సిస్టర్‌లను కలిగి ఉంది. లాజిక్ ఇన్‌పుట్‌లు 3.3 వి నుండి 15 వి వరకు సిగ్నల్‌లకు అనుకూలంగా ఉంటాయి. సమగ్ర రక్షణ లక్షణాలు అంతర్నిర్మితంగా ఉన్నాయి, వీటిలో తక్కువ-వైపు మరియు అధిక-వైపు UVLO రక్షణ, ఇంటర్‌లాకింగ్, అంకితమైన షట్‌డౌన్ పిన్ మరియు అధిక-ఉష్ణోగ్రత రక్షణ ఉన్నాయి.